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表面活性剂及其制备方法、硅片清洗剂、硅片清洗方法

申请号: CN202311682897.6
申请人: 扬州晶樱光电科技有限公司
申请日期: 2023/12/7

摘要文本

本发明涉及一种表面活性剂及其制备方法、硅片清洗剂、硅片清洗方法,硅片清洗剂包括:水、碱、缓蚀剂和多功能表面活性剂,其中,多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物。本实施例的硅片清洗剂中,多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物,具有去油污、螯合金属离子、强化渗透性、表面活化等多重功效,能够有效去除硅片表面的有机物玷污和尘埃颗粒,并溶解氧化膜、去除金属离子杂质,有效提升清洗剂的清洗去污效果。该清洗剂组分简单,清洗效果明确,避免了当前主流清洗剂存在的组分复杂,易残留,且清洗性能的波动性等缺陷;此外,该清洗剂组分对环境无污染,绿色环保。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 表面活性剂及其制备方法、硅片清洗剂、硅片清洗方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311682897.6
申请日 2023/12/7
公告号 CN117756651A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 C07C217/42
权利人 扬州晶樱光电科技有限公司
发明人 黄金强; 张力峰; 张一卫; 刘慧; 房雷; 邹文龙
地址 江苏省扬州市高邮市经济开发区凌波路86号

专利主权项内容

1.一种多功能表面活性剂,其特征在于,应用于硅片清洗剂中,包括兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物。。关注微信公众号马克数据网