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一种硅片的制备方法及硅片
摘要文本
本申请公开了一种硅片的制备方法及硅片。本申请硅片的制备方法包括：提供支撑衬底，支撑衬底的至少一面设有绝缘层；提供外延衬底，外延衬底的至少一面设有外延层；将外延层与支撑衬底键合，使绝缘层和外延层贴合；去除至少部分外延衬底，形成衬底层；外延层位于衬底层和绝缘层之间；腐蚀处理去除至少部分衬底层；对硅片进行表面处理，表面处理采用第一处理液，第一处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过改变硅片的制备步骤，提高了外延层的膜厚均匀性。。来源：专利查询网
申请人信息
- 申请人:中环领先半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 发明人: 中环领先半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅片的制备方法及硅片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311525172.6 |
| 申请日 | 2023/11/14 |
| 公告号 | CN117672813A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 中环领先半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 马乾志; 孙晨光; 王彦君 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道 |
专利主权项内容
1.一种硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑衬底(100)，所述支撑衬底(100)的至少一面设有绝缘层(110)；提供外延衬底(200)，所述外延衬底(200)的至少一面设有外延层(210)；将所述外延层(210)与所述支撑衬底(100)键合，使所述绝缘层(110)和所述外延层(210)贴合；去除至少部分所述外延衬底(200)，形成衬底层(220)；所述外延层(210)位于所述衬底层(220)和所述绝缘层(110)之间；腐蚀处理去除至少部分所述衬底层(220)；对所述硅片进行表面处理，所述表面处理采用第一处理液，所述第一处理液包括有机铵盐和氧化剂。