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硅片、处理方法和硅片的制备方法
摘要文本
本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。 来自：
申请人信息
- 申请人:中环领先半导体材料有限公司
- 申请人地址:214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 发明人: 中环领先半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅片、处理方法和硅片的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311347155.8 |
| 申请日 | 2023/10/17 |
| 公告号 | CN117468089A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | C30B29/06 |
| 权利人 | 中环领先半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 孙晨光; 陈龙飞; 顾长恒; 王虎; 刘姣龙; 袁祥龙; 王彦君; 郝小辉; 武卫 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道 |
专利主权项内容
1.一种硅片，其特征在于，所述硅片具有硅衬底(100)，所述硅衬底(100)至少一面具有粗糙层(110)；所述粗糙层(110)具有表面粗糙度Ra，满足Ra≥0.7μm。