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用于半导体器件缺陷的定位方法、处理器及存储介质

申请号: CN202311716537.3
申请人: 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日期: 2023/12/13

摘要文本

本申请实施例提供一种用于半导体器件缺陷的定位方法、装置、处理器及存储介质。该方法包括:获取待检测器件的第一器件图像;将第一器件图像输入至粗定位缺陷检测神经网络,以通过粗定位缺陷检测神经网络输出待检测器件中每个缺陷的第一区域图像以及每个缺陷所在的第一位置;将每个第一区域图像采用高清图像装置进行高清放大处理,得到每个缺陷的第二器件图像;依次将每个缺陷的第二器件图像输入至精定位缺陷检测神经网络,以通过精定位缺陷检测神经网络输出待检测器件中每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置;根据每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置确定每个缺陷的具体位置。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 用于半导体器件缺陷的定位方法、处理器及存储介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311716537.3
申请日 2023/12/13
公告号 CN117710306A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G06T7/00
权利人 江苏宜兴德融科技有限公司
发明人 孙浩然; 褚君浩; 李华; 王伟明
地址 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区永盛路69号

专利主权项内容

1.一种用于半导体器件缺陷的定位方法,其特征在于,所述定位方法包括:获取待检测器件的第一器件图像;将所述第一器件图像输入至粗定位缺陷检测神经网络,以通过所述粗定位缺陷检测神经网络输出所述待检测器件中每个缺陷的第一区域图像以及每个缺陷所在的第一位置;将每个第一区域图像采用高清图像装置进行高清放大处理,得到每个缺陷的第二器件图像;依次将每个缺陷的第二器件图像输入至精定位缺陷检测神经网络,以通过所述精定位缺陷检测神经网络输出所述待检测器件中每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置;根据每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置确定每个缺陷的具体位置。