一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法

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本发明涉及CMP抛光技术领域，具体涉及一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法，硅溶胶100份，碱性速率促进剂3‑6份，表面活性剂0.5‑2份，pH调节剂0.5‑2份，铵盐速率调节剂0‑0.8份，杀菌剂0.1‑0.5份，去离子水90份；CMP抛光液的pH值至少是8；碱性速率促进剂选自1, 3‑二氮唑、无水哌嗪、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺中的至少一种。本发明能够实现对二氧化硅和氮化硅速率选择比的调节，在对二氧化硅和氮化硅去除速率影响较小的前提下，能够提高多晶硅的去除速率，且不引入金属离子的污染，适用于先进制程的多晶硅栅极化学机械平坦化。