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一种IGBT器件及其加工工艺
摘要文本
本发明实施例提供的IGBT器件及其加工工艺，通过设置基于温度变化而发生弹性形变的多个散热单元，在IGBT器件内部发热且热量分布不均匀时，多个散热单元能够基于热量的分布自发性地调整散热单元的疏密程度，使得温度较高处的散热单元较为稀疏，散热介质对散热单元的冷却效果较好，可以应对各种热量分布不均的工况。
申请人信息
- 申请人:宜兴杰芯半导体有限公司
- 申请人地址:214200 江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
- 发明人: 宜兴杰芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种IGBT器件及其加工工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311581903.9 |
| 申请日 | 2023/11/24 |
| 公告号 | CN117613013A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L23/367 |
| 权利人 | 宜兴杰芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 陈钊; 陈俊标 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园 |
专利主权项内容
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：芯片；基板，所述芯片固定安装于所述基板上；散热器，所述散热器设置于所述基板下方，所述散热器内形成有散热器腔室，所述散热腔室内容纳有散热介质；针翅模组，所述针翅模组设置于所述散热腔室内，所述针翅模组包括多个互相紧密接合的散热单元，所述散热单元于温度变化时可发生弹性形变并改变相邻两个所述散热单元之间的距离；所述散热单元的分布密度与温度呈负相关关系。