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一种硅片的处理方法
摘要文本
本申请公开了一种硅片的处理方法，用于处理硅片。本申请的硅片处理方法包括：对硅片进行腐蚀处理；采用处理液对腐蚀处理后的硅片进行表面处理，处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过表面处理提高了硅片外延层的厚度均匀性。本申请可以采用具有处理槽的处理装置对硅片进行表面处理，本申请的处理装置可以实现多片硅片同时处理，提升硅片表面处理的处理效率。
申请人信息
- 申请人:中环领先半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 发明人: 中环领先半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅片的处理方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311518869.0 |
| 申请日 | 2023/11/14 |
| 公告号 | CN117672812A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 中环领先半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 马乾志; 孙晨光; 王彦君; 姚祖英; 张雨杭 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道 |
专利主权项内容
1.一种硅片的处理方法，用于处理硅片(100)，其特征在于，包括：对所述硅片(100)进行腐蚀处理；采用处理液对所述腐蚀处理后的所述硅片(100)进行表面处理，所述处理液包括有机铵盐和氧化剂。