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一种氮化镓外延片及其制备方法
摘要文本
本申请公开了一种氮化镓外延片及其制备方法。本申请的氮化镓外延片包括硅衬底，硅衬底具有第一表面；外延层，外延层设置于第一表面上，外延层包括GaN；硅衬底具有第一翘曲度B1，第一翘曲度B1的范围满足：‑5.0μm≤B1≤7.5μm。本申请采用具有翘曲度的抛光片为衬底，用于控制制备的外延片的第二翘曲度B2，改善硅基氮化镓外延片严重的翘曲问题，有利于提升器件的良品率。 百度搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:中环领先半导体材料有限公司
- 申请人地址:214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 发明人: 中环领先半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311419783.2 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117476743A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 中环领先半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 黄飞; 杜飞; 王洪朝 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道 |
专利主权项内容
来源：马 克 团 队 。1.一种氮化镓外延片，其特征在于，所述氮化镓外延片(1)包括硅衬底(100)，所述硅衬底(100)具有第一表面(101)；外延层(200)，所述外延层(200)设置于所述第一表面(101)上，所述外延层(200)包括GaN；所述硅衬底(100)具有第一翘曲度B，所述第一翘曲度B的范围满足：-5.0μm≤B≤7.5μm。111