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一种改善硅片表面抛光痕的精抛液及其应用
摘要文本
本发明涉及一种改善硅片表面抛光痕的精抛液及其应用，由如下重量百分比为100％的材料混合而成：硅溶胶2‑12％，酰胺类润湿分散剂0.1‑1％，高分子醇类润滑剂0.1‑1.5％，pH调节剂超过0.3％并使所述精抛液整体pH值为9‑11，余量为去离子水；本发明的精抛液可以有效解决硅片表面抛光后存在的微划伤问题，精抛后可改善硅片表面的抛光痕，呈现轻微抛光痕或无抛光痕的状态，满足半导体行业的精度要求。
申请人信息
- 申请人:江苏山水半导体科技有限公司
- 申请人地址:214203 江苏省无锡市宜兴市屺亭街道凯旋路19号
- 发明人: 江苏山水半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种改善硅片表面抛光痕的精抛液及其应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311470937.0 |
| 申请日 | 2023/11/7 |
| 公告号 | CN117567941A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | C09G1/02 |
| 权利人 | 江苏山水半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 蒋丽娇; 张俊华; 王超铭; 井锋 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴市屺亭街道凯旋路19号 |
专利主权项内容
1.一种改善硅片表面抛光痕的精抛液，其特征在于，由如下重量百分比为100％的材料混合而成：硅溶胶2-12％，酰胺类润湿分散剂0.1-1％，高分子醇类润滑剂0.1-1.5％，pH调节剂超过0.3％并使所述精抛液整体pH值为9-11，余量为去离子水。 关注公众号马克数据网