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具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法

申请号: CN202311717503.6
申请人: 无锡松煜科技有限公司
申请日期: 2023/12/14

摘要文本

本发明涉及太阳能电池技术领域,特别涉及具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法,其首先在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层,然后继续依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源,并在混合气体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫,从而在第一钝化层表面通过原子层沉积得到具有粗糙结构的第二钝化层,对得到的第二钝化层进行加热,从而得到所述具有陷光结构的叠层钝化层。通过本发明中的方法制备得到的具有陷光结构的叠层钝化层,可以同时提高太阳能电池的稳定性和效率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311717503.6
申请日 2023/12/14
公告号 CN117410386B
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 H01L31/18
权利人 无锡松煜科技有限公司
发明人 陈庆敏; 李丙科; 陈加朋; 卓倩武
地址 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房

专利主权项内容

1.具有陷光结构的叠层钝化结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(S.1):提供一个半导体衬底,并将该半导体衬底置于原子层沉积反应仓;步骤(S.2):向原子层沉积反应仓内依次循环脉冲通入铝源前驱体以及氧源,并在铝源以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫,从而在半导体衬底表面通过原子层沉积得到光滑的第一钝化层;步骤(S.3):向原子层沉积反应仓内依次循环脉冲通入由铝源前驱体以及硅烷封端剂构成的混合气体以及氧源,并在混合气体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫,从而在第一钝化层表面通过原子层沉积得到具有粗糙结构的第二钝化层;所述步骤(S.3)中硅烷封端剂的流量占混合气体的百分比为5~10%;步骤(S.4):对得到的第二钝化层进行加热,使得硅烷封端剂分解,从而得到所述具有陷光结构的叠层钝化层。