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可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法
摘要文本
本发明涉及一种沟槽型功率器件及制备方法，尤其是一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件，所述沟槽型功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，制备于所述半导体基板的中心区，包括若干并联成一体的元胞，其中，有源区内的元胞采用沟槽结构，所述元胞沟槽的槽底位于横贯有源区内第二导电类型基区的下方；在第二导电类型基区内设置第一导电类型载流子存储层，所述第一导电类型载流子存储层与相应元胞沟槽的外侧壁接触。本发明改善功率器件的击穿特性，降低功率器件的导通损耗，提高开关速度，有效降低导通压降。 搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:江苏索力德普半导体科技有限公司
- 申请人地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼
- 发明人: 江苏索力德普半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311635039.6 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117497577A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 彭振峰; 王万; 李娜; 柴晨凯 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼 |
专利主权项内容
1.一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件，其特征是，所述沟槽型功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，制备于所述半导体基板的中心区，包括若干并联成一体的元胞，其中，有源区内的元胞采用沟槽结构，所述元胞沟槽的槽底位于横贯有源区内第二导电类型基区的下方；在第二导电类型基区内设置第一导电类型载流子存储层，所述第一导电类型载流子存储层与相应元胞沟槽的外侧壁接触。 马 克 数 据 网