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一种银粉及其制备方法与应用
摘要文本
本发明涉及导电材料技术领域，公开了一种银粉及其制备方法与应用。本发明提供的制备方法通过原子层沉积在石墨粉末基底上沉积银膜层，在沉积过程中，使原子层沉积腔压力处于130~160torr，并创造性地增加在通入前驱体的同时通入清除气的步骤，配合在通入前驱体气体之间通入小流量的吹扫气步骤，在保证基底分散性的前提下实现对于多余前驱体的吹扫，减少副反应及膜层杂质，使得到的银粉的银膜层均匀性好，制品电导率高。 （来源 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种银粉及其制备方法与应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311405166.7 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117364063A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | C23C16/455 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 李丙科; 陈加朋; 卓倩武 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.一种银粉的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：将石墨粉末置于原子层沉积腔中，并对原子层沉积腔升温；步骤S2：使原子层沉积腔压力处于130~160torr，向原子层沉积腔通入银甲基丙二酮酸，并通入清除气；步骤S3：向原子层沉积腔通入吹扫气；步骤S4：使原子层沉积腔压力处于130~160torr，向原子层沉积腔通入HO，并通入清除气；2步骤S5：向原子层沉积腔通入吹扫气；步骤S6：将步骤S2-步骤S5重复操作，从而在石墨基底表面形成银膜，得到所述银粉；其中，所述吹扫气的通入流量为10~20L/min；所述清除气的通入流量随着通入时间梯度增大，所述清除气的通入流量最大为2~10L/min。。来自马-克-数-据