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一种半导体立式炉热处理用立式晶舟
摘要文本
本发明属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体立式炉热处理用立式晶舟。本发明的立式晶舟装置用于水平地设置多个晶片，具体包括：基座，具有至少一个放置用底面；立柱，设置在所述基座上，且向上延伸；支撑板单元，设置在所述立柱上，且具有至少一个支撑用平面。所述立式晶舟用于支撑晶片的支撑板上设有预制槽，在热处理过程中，预制槽利用支撑板本身受热膨胀的变形效果而逐渐变平，从而增大与晶片的接触面积，有效的降低了支撑板对晶片形成点接触的情况。此外，预制槽整体由两边向中心收缩，以适配支撑板受热膨胀后的形貌变化趋势；预制槽还从内向外逐渐变窄，以适配具有倾斜面的支撑板受热膨胀后的形貌变化趋势。
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体立式炉热处理用立式晶舟 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311753148.8 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117438351B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/673 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 张桉民; 陈加朋; 李丙科; 闫文彬 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.一种半导体立式炉热处理用立式晶舟，用于水平地设置多个晶片，其特征在于，包括：基座(1)，具有至少一个放置用底面；立柱(2)，设置在所述基座(1)上，且向上延伸；支撑板单元(3)，设置在所述立柱(2)上，且具有至少一个支撑用平面；所述支撑板单元(3)包括支撑板(301)，设置在所述支撑板(301)上的倾斜面(302)，以及设置在所述倾斜面(302)上的预制槽(303)；所述支撑板(301)包括靠近所述立柱(2)的内侧端(301a)，以及远离所述立柱(2)的外侧端(301b)；所述倾斜面(302)的设置使得所述支撑板(301)自内侧端(301a)向外侧端(301b)逐渐变薄；所述预制槽(303)包括槽边(303a)以及槽中(303b)，所述预制槽(303)沿所述内侧端(301a)向外侧端(301b)逐渐向所述槽中(303b)收缩；所述预制槽(303)自槽边(303a)向槽中(303b)逐渐变深；所述预制槽(303)的槽边(303a)为抛物线形状。