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晶圆镀膜前处理装置
摘要文本
本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。
申请人信息
- 申请人:无锡尚积半导体科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
- 发明人: 无锡尚积半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆镀膜前处理装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311846883.3 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497461A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 张陈斌; 张超; 宋永辉; 王世宽 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房 |
专利主权项内容
1.一种晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，包括：干燥腔(1)，晶圆能够在所述干燥腔(1)内接受前处理；加热腔(2)，设于所述干燥腔(1)一侧；加热装置(110)，设于所述加热腔(2)内，能够加热所述加热腔(2)和所述干燥腔(1)；气循环装置(200)，连通所述加热腔(2)，所述加热装置(110)还能够加热所述气循环装置(200)输送的气体；第一吹气装置(310)，连通所述气循环装置(200)、并设于所述干燥腔(1)上方，加热过的气体能够通过所述第一吹气装置(310)吹向所述干燥腔(1)中晶圆的正面；第二吹气装置(320)，连通所述气循环装置(200)、并设于所述干燥腔(1)下方，加热过的气体能够通过所述第二吹气装置(320)吹向所述干燥腔(1)中晶圆的背面。 （更多数据，详见马克数据网）