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一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法
摘要文本
本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，包括：(1)将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层，出腔；(2)进行激光选择性重掺杂处理；(3)将硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；(4)抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散。本发明采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到较大的深度；采用热丝化学气相沉积法制备掺硼非晶硅层，不会出现绕扩现象；采用无氧硼源，整个工艺中无B2O3副产物产生，不会对石英件造成损坏。
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311207212.2 |
| 申请日 | 2023/9/19 |
| 公告号 | CN117423774A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 李丙科; 宋银海; 张海洋 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，在硅片的其中一面沉积掺硼非晶硅层，出腔；所述掺硼非晶硅层的厚度为10~30nm；步骤(2)：将经过步骤(1)处理后的硅片沉积有掺硼非晶硅层的表面进行激光选择性重掺杂处理；步骤(3)：将经过步骤(2)处理后的硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；步骤(4)：将硼扩散炉管抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将经过步骤(3)处理后的硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散。。搜索马 克 数 据 网