一种集成式SGT MOSFET及其制备工艺
摘要文本
本申请公开了一种集成式SGT MOSFET及其制备工艺，涉及SGT MOSFET的技术领域。本申请将一个或多个SGT沟槽与一个或多个T沟槽设置在一个集成部件中，其中，T沟槽设置在SGT沟槽的一侧或者两个SGT沟槽之间，T沟槽的第二栅氧层的厚度小于SGT沟槽第一栅氧层的厚度，导致T沟槽的电压小于正向偏压时所述阱区处形成的PN结的开启电压。本申请的集成式SGT MOSFET反向恢复时通过开启T沟槽沟道，提前降低电荷浓度，从而有效提高二极管的反向恢复能力。。来源：百度马 克 数据网
申请人信息
- 申请人:无锡锡产微芯半导体有限公司
- 申请人地址:214111 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-10层
- 发明人: 无锡锡产微芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成式SGT MOSFET及其制备工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311662958.2 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117352557A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 无锡锡产微芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 安俊杰; 金波; 朱琦 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-10层 |
专利主权项内容
1.一种集成式SGT MOSFET，其特征在于，包括：漏极(6)；衬底(1)，形成在所述漏极(6)的一侧；外延层(2)，形成在衬底(1)的一侧，与所述漏极(6)的设置方向相对；所述外延层(2)背离所述衬底(1)一侧形成阱区(5)；所述阱区(5)背离所述外延层(2)一侧形成源极(7)；在所述外延层(2)形成源极(7)的一端，设置一个或多个SGT沟槽(3)及一个或多个T沟槽(4)，所述一个或多个T沟槽(4)设置于所述一个或多个SGT沟槽(3)的一侧；所述一个或多个SGT沟槽(3)与所述T沟槽(4)从所述源极方向，穿透所述源极(7)与所述阱区(5)，到达所述外延层(2)，形成沟槽；所述SGT沟槽(3)的沟槽表面靠近所述衬底方向形成第一场绝缘层(34)，靠近源极(7)方向形成第一栅氧层(31)；所述第一场绝缘层(34)内部形成屏蔽栅(32)，所述第一栅氧层(31)的内部形成SGT栅极(33)，所述屏蔽栅(32)与SGT栅极(33)之间形成隔离介电层(35)；所述T沟槽(4)的沟槽表面靠近所述衬底方向形成第二场绝缘层(42)，靠近源极(7)方向形成第二栅氧层(41)；所述第二场绝缘层(42)与所述第二栅氧层(41)之间形成T字栅极(43)；其中，所述第二栅氧层(41)的厚度小于所述第一栅氧层(31)的厚度，并且，所述屏蔽栅(32)与所述T字栅极(43)电学短接。 百度搜索马 克 数 据 网