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一种用于LDO的快速过压保护电路
摘要文本
本发明涉及一种用于LDO的快速过压保护电路,属于电子电路技术领域。该用于LDO的快速过压保护电路包括比较器和快速过压保护单元,快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2,还包括与第一分压电阻R1并联的快速电容C,第一分压电阻R1一端连接输入电压VIN,另一端为采样信号V1,比较器的反向输入端连接基准电压VREF,正向输入端连接所述的采样信号V1。从而当输入电压VIN大范围波动ΔV时,由于电容C两端的压差不会产生突变,比较器的输入电压采样信号V1也会随之波动ΔV,由此实现对于输入电压变化的快速响应,保护LDO芯片不会受到损坏。
申请人信息
- 申请人:无锡力芯微电子股份有限公司
- 申请人地址:214111 江苏省无锡市新区新辉环路8号
- 发明人: 无锡力芯微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于LDO的快速过压保护电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311656856.X |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117728366A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H02H9/04 |
| 权利人 | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 周昊; 荣悦; 王鑫; 陈上邦 |
| 地址 | 江苏省无锡市新区新辉环路8号 |
专利主权项内容
1.一种用于LDO的快速过压保护电路,其特征在于,包括:比较器和快速过压保护单元,所述的比较器的反向输入端连接基准电压(V),该比较器的正向输入端连接采样信号(V);所述的快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻(R)和第二分压电阻(R),还包括与所述第一分压电阻(R)并联的快速电容(C),所述的第一分压电阻(R)的一端连接输入电压(V),另一端为所述的采样信号(V)并连接所述的比较器的正向输入端以及所述的第二分压电阻(R),该第二分压电阻(R)的另一端接地。REF11211IN122。该数据由<马克数据网>整理