一种利用ALD法制备氧化铝钝化膜的方法及装置

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本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种利用ALD法制备氧化铝钝化膜的方法及装置，该方法，包括如下步骤：S‑1.提供衬底，送入反应腔室；S‑2.向反应腔室内通入三甲基铝，同时通入三氯化铝；S‑3.向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室，将吹出的气体与水在容器内接触；S‑4.向反应腔室内通入水蒸气；S‑5.向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室；步骤S‑2至步骤S‑5形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。本公开记载的技术方案，通过提高TMA的沉积效率，减少TMA的剩余量，以及在TMA沉积后，对剩余的TMA在可控范围内让TMA与水反应，消除不可控的安全风险。提高ALD工艺制备氧化铝钝化膜的安全性。