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一种用于快速过压保护开关的电荷泵电路

申请号: CN202311833021.7
申请人: 无锡力芯微电子股份有限公司
申请日期: 2023/12/28

摘要文本

本发明涉及一种用于快速过压保护开关的电荷泵电路,属于电路结构技术领域。采用了该发明的用于快速过压保护开关的电荷泵电路,其包括栅极交叉耦合电荷泵和泄流回路,其中,泄流回路连接于输出电压VOUT与第八N型MOS管MN8之间,用以在输入电压VIN过压时,控制第八N型MOS管MN8打开,利用泄流回路降低输出电压VOUT,关闭开关管,从而实现快速过压保护,且该用于快速过压保护开关的电荷泵电路的结构简单,成本低廉,应用范围相当广泛。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于快速过压保护开关的电荷泵电路
专利类型 发明授权
申请号 CN202311833021.7
申请日 2023/12/28
公告号 CN117477939B
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 H02M3/07
权利人 无锡力芯微电子股份有限公司
发明人 周昊; 王宇远; 顾杰; 葛天祎
地址 江苏省无锡市新区新辉环路8号

专利主权项内容

1.一种用于快速过压保护开关的电荷泵电路,其特征在于,包括:栅极交叉耦合电荷泵,该栅极交叉耦合电荷泵由多个MOS管组成,其输入端通过第一电阻(R)连接输入电压(V),其输出端通过MOS管(MN6)连接输出电压(V),输入电压(V)与MOS管(MN6)之间还正向连接有稳压二极管(D),该栅极交叉耦合电荷泵还连接第一振荡器信号(CLKA)和第二振荡器信号(CLKB);1INOUTIN1泄流回路,连接于所述的输出电压(V)与第八N型MOS管(MN8)的漏极,该第八N型MOS管(MN8)的栅极连接电荷泵工作使能信号(EN-CP),其源极接地,用以在输入电压(V)过压时,控制所述的第八N型MOS管(MN8)打开,降低所述的输出电压(V);所述的泄流回路具体包括第八P型MOS管(MP8)、第七P型MOS管(MP7)、第六P型MOS管(MP6)、第五电阻(R)和第四电阻(R),所述的第八P型MOS管(MP8)的源极连接于所述的输出电压(V),其栅极和漏极连接所述的第七P型MOS管(MP7)的源极,该第七P型MOS管(MP7)的栅极和漏极连接所述的第六P型MOS管(MP6)的源极,该第六P型MOS管(MP6)的栅极和漏极连接所述的第八N型MOS管(MN8)的漏极;所述的第五电阻(R)也连接于所述的输出电压(V)与所述的第八N型MOS管(MN8)的漏极之间;所述的第四电阻(R)与第五电容(C)并联,并连接于所述的第八N型MOS管(MN8)的源极与接地之间;OUTINOUT54OUT5OUT45第五P型MOS管(MP5),其源极连接所述的输出电压(V),其漏极连接所述的输入电压(V),其栅极连接所述的第八P型MOS管(MP8)的漏极;OUTIN第五N型MOS管(MN5),其栅极连接电荷泵输出端口使能信号(EN-DRV),源极通过第三电阻(R)接地,漏极连接所述的栅极交叉耦合电荷泵的输入端和输出端;3第七N型MOS管(MN7),其栅极连接所述的电荷泵输出端口使能信号(EN-DRV),源极接地,漏极连接所述的输出电压(V);OUT所述的栅极交叉耦合电荷泵包括第一至第四N型MOS管(MN1~MN4)和第一至第四P型MOS管(MP1~MP4),所述的第一N型MOS管(MN1)和第二N型MOS管(MN2)的P型衬底作为源极与所述的输入电压(V)相连;所述的第三P型MOS管(MP3)和第四P型MOS管(MP4)的N型衬底作为源极与所述的输出电压(V)相连;第一至第四电容(C、C、C、C)为升压电容,所述的第一及第三电容(C、C)的下极板接所述的第一振荡器信号(CLKA),上极板接升压节点;所述的第二及第四电容(C、C)的上极板接所述的第二振荡器信号(CLKB),下极板也接升压节点,所述的升压节点分别连接所述的第一至第四N型MOS管(MN1~MN4)的栅极和漏极以及第一至第四P型MOS管(MP1~MP4)的栅极和漏极,所述的第一和第二P型MOS管(MP1、MP2)的源极与所述的第三和第四N型MOS管(MN3、MN4)的源极相互连接。INOUT12341324