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一种SiC功率器件的立体封装方法
摘要文本
本发明涉及一种SiC功率器件的立体封装方法，包括如下步骤：准备引线框架、芯片和数条铜带；将SiC芯片贴装在导电平面的端面上，并使得SiC芯片的栅极位于凹槽内，SiC芯片的栅极通过第一铜带引出；SiC芯片的源极通过引出线引出；引线框架的外部设置有接线柱单元，通过第二铜带连接SiC芯片的电极与接线柱单元；通过导热界面材料将散热器连接到导电平面上；通过塑封料包裹引线框架、芯片和接线柱。通过设置引线框架，不仅能够替代DBC基板，避免DBC基板带来的热阻以及DBC与底板连接引入的寄生电感，还能够代替键合线，避免键合线带来的电阻以及杂散电感；同时，引线框架的每个导电平面均设置有单独的冷却装置以实现散热，增加了散热面，提升了器件的散热能力。。
申请人信息
- 申请人:江苏索力德普半导体科技有限公司
- 申请人地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼
- 发明人: 江苏索力德普半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC功率器件的立体封装方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311550731.9 |
| 申请日 | 2023/11/20 |
| 公告号 | CN117476480A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/60 |
| 权利人 | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 王素; 张鹏; 戴鑫宇 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼 |
专利主权项内容
1.一种SiC功率器件的立体封装方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.准备引线框架(1)、芯片和数条铜带(2)；所述引线框架(1)包括数个用于贴装芯片的导电平面(102)，其中至少一个导电平面(102)的端面上设置有凹槽(103)，以及用于引出芯片电极的引出线(101)；所述芯片包括SiC芯片(3)；所述铜带(2)包括用于引出SiC芯片(3)栅极的第一铜带(201)，以及第二铜带(202)；S2.将SiC芯片(3)贴装在导电平面(102)的端面上，并使得SiC芯片(3)的栅极位于凹槽(103)内，SiC芯片(3)的栅极通过第一铜带(201)引出；SiC芯片(3)的源极通过引出线(101)引出；S3.所述引线框架(1)的外部设置有接线柱单元(4)，通过第二铜带(202)连接SiC芯片(3)的电极与接线柱单元(4)；S4.通过导热界面材料将散热器连接到导电平面(102)的端面上；S5.通过塑封料包裹引线框架(1)、芯片和接线柱(4)。