一种集成式场效应晶体管
摘要文本
本申请公开了一种集成式场效应晶体管，涉及半导体MOS场效应晶体管的技术领域，本申请在每个或多个长沟道的一侧设置短沟道，短沟道的沟道表面掺杂有第一导电型杂质，阱区内掺杂有第二导电型杂质，且第一导电型与第二导电型相反，以在短沟道与阱区之间形成增强区，所述增强区用于降低短沟道的沟道阈值电压，以提高体二极管的反向恢复特性，从而有效提高体二极管的反向恢复能力。
申请人信息
- 申请人:无锡锡产微芯半导体有限公司; 江苏中科君芯科技有限公司
- 申请人地址:214111 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-10层
- 发明人: 无锡锡产微芯半导体有限公司; 江苏中科君芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成式场效应晶体管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311662951.0 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117352556A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 无锡锡产微芯半导体有限公司; 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 发明人 | 安俊杰; 金波; 朱琦 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-10层; 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 |
专利主权项内容
1.一种集成式场效应晶体管，其特征在于，包括：基板(1)，漏电极(6)，漂移层(2)，源电极(7)；所述基板(1)的底面与所述漏电极(6)耦合连接，所述基板(1)的顶面与所述漂移层(2)耦合连接；所述源电极(7)设置于所述漂移层(2)顶部；所述漂移层(2)顶部设置向漂移层(2)内部的多个沟道；沟道之间设置有阱区(5)；所述沟道包括长沟道(3)，短沟道(4)，所述短沟道(4)的深度小于所述长沟道(3)的深度；所述长沟道(3)包括：长沟道内壁、栅电极(32)、屏蔽电极(31)和隔离氧化层(35)，其中，所述屏蔽电极(31)设置于所述长沟道(3)底部，所述栅电极(32)设置于所述长沟道(3)顶部，所述隔离氧化层(35)设置于所述栅电极(32)与所述屏蔽电极(31)之间；所述长沟道内壁下部设置有长沟道绝缘层(34)，所述长沟道内壁上部设置有长沟道栅电极绝缘层(33)；所述短沟道(4)包括：短沟道内壁和T型栅电极(41)；所述T型栅电极(41)设置于所述短沟道(4)内，所述短沟道内壁下部设置短沟道绝缘层(43)，所述短沟道内壁上部设置短沟道栅电极绝缘层(42)；所述阱区(5)的顶部和所述T型栅电极(41)的顶部设置有接触沟槽(10)，所述接触沟槽(10)从所述漂移层(2)的顶部延伸至所述阱区(5)或所述T型栅电极(41)的顶部；其中，所述短沟道内壁掺杂有第一导电型杂质，所述阱区(5)内掺杂有第二导电型杂质，且第一导电型与第二导电型相反，以在所述短沟道(4)与所述阱区(5)之间形成增强区(8)，所述增强区(8)用于降低所述短沟道(4)的沟道阈值电压。