沟槽栅SiC功率器件及制备方法

专利主权项内容

1.一种沟槽栅SiC功率器件，其特征是，所述SiC功率器件包括：SiC基板，呈第一导电类型；有源区，位于SiC基板的中心区，包括若干并联成一体的元胞，其中，对任一元胞，包括源极沟槽、栅极第一沟槽单元以及第二导电类型屏蔽单元；栅极沟槽单元包括对称分布于源极沟槽两侧的栅极第一沟槽，所述栅极第一沟槽呈长条状，且源极沟槽位于栅极第一沟槽的两端之间；在栅极第一沟槽内填充有栅极体，所述栅极体与所在栅极第一沟槽的内壁绝缘隔离；在源极沟槽内填充源极体，所述源极体与所在源极沟槽的内壁绝缘隔离；第二导电类型屏蔽单元包括至少包覆栅极第一沟槽端部槽底的第二导电类型栅极屏蔽体以及至少包覆源极沟槽槽底的第二导电类型源极屏蔽体；第二导电类型栅极屏蔽体、第二导电类型源极屏蔽体与SiC基板正面上方的源极金属电连接；源极金属与源极沟槽内的源极体电连接，且所述源极金属与栅极第一沟槽内的栅极体绝缘隔离。