一种快速过压响应的负载开关芯片
摘要文本
本发明涉及一种快速过压响应的负载开关芯片，属于电路结构技术领域。采用了该发明的快速过压响应的负载开关芯片，其功率开关模块包括相互串联的2个N沟道MOSFET，保护模块包括过压保护电路，在输入电压高于过压上阈值时，过压保护电路输出过压信号，控制模块中的电荷泵根据过压信号控制二个N沟道MOSFET快速关断，由此实现了对于过压的快速响应，同时本发明的负载开关芯片功率开关模块、保护模块和控制模块集成于一个芯片中，减小了所需的空间，更适用于便携式移动设备。
申请人信息
- 申请人:无锡力芯微电子股份有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新区新辉环路8号
- 发明人: 无锡力芯微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种快速过压响应的负载开关芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311609318.5 |
| 申请日 | 2023/11/29 |
| 公告号 | CN117439013A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H02H3/20 |
| 权利人 | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 周昊; 曹宇琦; 沈君; 倪佳辉 |
| 地址 | 江苏省无锡市新区新辉环路8号 |
专利主权项内容
1.一种快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，包括集成于一个芯片中的功率开关模块、保护模块和控制模块；所述的功率开关模块包括相互串联的第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET，所述第一N沟道MOSFET的漏极连接该负载开关芯片的电压输入端，该第一N沟道MOSFET的源极连接所述的第二N沟道MOSFET的源极，该第二N沟道MOSFET的漏极连接该载开关芯片的电压输出端；所述的保护模块包括过压保护电路，该过压保护电路的输入端连接所述的负载开关芯片的电压输入端，该过压保护电路用以在输入电压高于过压上阈值时，输出过压信号；所述的控制模块包括电荷泵，该电荷泵的输出端连接所述的第一N沟道MOSFET的栅极和第二N沟道MOSFET的栅极，使所述的第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET的栅极电压比其各自的源极电压高，所述的电荷泵直接从所述的过压保护电路接收该过压信号，控制所述的第一N沟道MOSFET以及第二N沟道MOSFET源极与漏极间的电压差，并控制所述的第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET关断，在输入电压低于过压下阈值时，该过压保护电路输出导通使能信号，通过所述的电荷泵控制所述的第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET导通，所述的过压保护电路设置有电压迟滞，所述的过压下阈值低于所述的过压上阈值。