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用于具有纳米柱结构的晶硅电池表面钝化层的制备方法
摘要文本
本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种用于具有纳米柱结构的晶硅电池表面钝化层的制备方法，该制备方法包括如下步骤：S1.提供具有纳米柱结构的衬底；S2.向沉积腔室内通入第一前驱物；S3.通入惰性气体，吹扫沉积腔室；S4.增加沉积腔室内的压力至第一压力P1，维持时间T1；S5.调节沉积腔室内的压力至第二压力P2，维持时间T2，通入惰性气体，吹扫沉积腔室，第二压力P2小于第一压力P1；S6.通入第二前驱物；S7.重复步骤S3至S5；步骤S2至步骤S7形成一个循环，重复该循环，得到沉积于晶硅电池表面的钝化层。本发明针对具有特殊纳米柱结构的晶硅电池衬底，提高钝化层沉积厚度的均匀性，同时还有利于钝化膜致密性的提高。
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于具有纳米柱结构的晶硅电池表面钝化层的制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311802192.3 |
| 申请日 | 2023/12/26 |
| 公告号 | CN117457806B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 李丙科; 陈加朋; 卓倩武 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.用于具有纳米柱结构的晶硅电池表面钝化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.提供具有纳米柱结构的衬底，送入沉积腔室，并将沉积腔室内的温度升至反应温度；S2.向沉积腔室内通入三甲基铝；S3.向沉积腔室内通入氮气，吹扫沉积腔室；S4.增加沉积腔室内的压力至第一压力P1，维持时间T1；S5.调节沉积腔室内的压力至第二压力P2，维持时间T2，通入氮气，吹扫沉积腔室，第二压力P2小于第一压力P1；S6.向沉积腔室内通入水蒸气；S7.重复步骤S3至S5；步骤S2至步骤S7形成一个循环，重复该循环，得到沉积于晶硅电池表面的钝化层；所述第一压力P1为0.3 MPa至0.6MPa，第二压力P2为6×10 Pa至10×10Pa；33所述步骤S4中，将沉积腔室内的压力增加至第一压力P1所需时间控制在10s至25s；所述步骤S5中，将沉积腔室内的压力调节至第二压力P2所需时间控制在2s至6s。