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用于硅片表面的图案化架构方法
摘要文本
本发明涉及半导体技术领域，公开了用于硅片表面的图案化架构方法。本发明通过将附着材料设置在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al2O3薄膜沉积，使得Al2O3薄膜沉积在非沉积区域以外的区域，实现Al2O3薄膜的选择性沉积，在硅片表面图案化架构Al2O3薄膜，并在沉积过程中促使硅片基底非沉积区域上的附着材料与硅片分离，Al2O3薄膜沉积后涂层易去除。本发明提供的选择性沉积方法在特定区域沉积得到的Al2O3薄膜，均匀性良好。在微电子器件制造中，不同部分需要不同的材料或薄膜来实现特定的功能，本发明提供的区域选择性沉积方法可以实现这些功能性要求。。更多数据：
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于硅片表面的图案化架构方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311816412.8 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117476441A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 李丙科; 陈加朋; 卓倩武 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.一种硅片表面的图案化架构方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：提供一种附着材料；步骤S2：将所述附着材料涂覆在硅片基底非沉积区域；步骤S3：将原子层沉积腔的温度调节至不低于300℃，并将经过步骤S2处理后的硅片基底放入其中，使用原子层沉积技术进行AlO薄膜沉积，并在沉积过程中促使硅片基底非沉积区域上的附着材料与硅片分离；23步骤S4：对硅片进行清洗，去除附着材料以及沉积于附着材料表面的AlO薄膜，从而在硅片表面获得AlO薄膜图案；2323其中，AlO薄膜沉积的方法为：向原子层沉积腔循环通入前驱体气体三甲基铝、前驱体气体HO，并在每次通入前驱体气体后通入氮气。232。该数据由<马克数据网>整理