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具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法
摘要文本
搜索专利查询网 。本发明涉及一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法。其包括：SiC基板以及有源区，对任一元胞，包括元胞沟槽、第二导电类型基区以及异质结单元组，其中，异质结单元组包括异质结单元；异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类型导电多晶硅体的侧壁至少与第二导电类型基区绝缘隔离，基于第二导电类型导电多晶硅体的下端部与第二导电类型基区的接触界面形成异质结；第二导电类型导电多晶硅体与有源区上方的源极金属欧姆接触，且源极金属与所述异质结单元所在的第二导电类型基区欧姆接触。本发明能加快载流子的抽取速度，减少关断损耗，可改善功率器件的关断特性。
申请人信息
- 申请人:江苏索力德普半导体科技有限公司
- 申请人地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼
- 发明人: 江苏索力德普半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311631776.9 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117497576A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 彭振峰; 王万; 李娜; 柴晨凯 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼 |
专利主权项内容
1.一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是，所述SiC功率器件包括：SiC基板，呈第一导电类型；有源区，制备于所述SiC基板的中心区，包括若干并联成一体的元胞，其中，有源区内的元胞采用沟槽结构，且在有源区内设置横贯所述有源区的第二导电类型基区，所述第二导电类型基区位于有源区内元胞沟槽槽底的上方；对任一元胞，包括元胞沟槽、分布于所述元胞沟槽两侧的第二导电类型基区以及用于加快载流子抽取速度的异质结单元组，其中，所述异质结单元组包括设置于元胞沟槽每侧第二导电类型基区内的异质结单元；所述异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类型导电多晶硅体的侧壁至少与第二导电类型基区绝缘隔离，第二导电类型导电多晶硅体的下端部位于第二导电类型基区内，且基于第二导电类型导电多晶硅体的下端部与第二导电类型基区的接触界面形成异质结；第二导电类型导电多晶硅体与有源区上方的源极金属欧姆接触，且源极金属与所述异质结单元所在的第二导电类型基区欧姆接触。。来源：马 克 团 队