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一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法
摘要文本
本发明涉及一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，包括以下步骤：对芯片进行等离子清洗；将芯片焊接于DBC基板上，从而得到第一焊接组件；在第一焊接组件的芯片焊盘表面放置高温焊片；在高温焊片的表面放置无氧铜铂，得到第二焊接组件，采用真空加流焊接设备对第二焊接组件进行焊接；第二焊接组件上需要连接的无氧铜铂之间采用第一铜线进行连接；第二焊接组件上无氧铜铂与DBC基板之间采用第二铜线进行连接；随后在DBC基板表面灌封绝缘材料，绝缘材料固化后，完成封装。通过设置无氧铜铂和高温焊片，对芯片上的焊盘进行加厚，能够对芯片产生保护作用，防止铜线连接对芯片造成损伤，其步骤简单，制程短，能够有效提高生产效率，降低生产成本。 微信公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:江苏索力德普半导体科技有限公司
- 申请人地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼
- 发明人: 江苏索力德普半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311609843.7 |
| 申请日 | 2023/11/27 |
| 公告号 | CN117612947A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L21/48 |
| 权利人 | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 方海军; 陆子堃; 罗海斌 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼 |
专利主权项内容
1.一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.对芯片(1)进行等离子清洗；S2.将芯片(1)焊接于DBC基板(6)上，从而得到第一焊接组件；S3.在第一焊接组件的芯片(1)焊盘表面放置高温焊片(2)；S4.在S3.中高温焊片(2)的表面放置无氧铜铂(3)，得到第二焊接组件，采用真空加流焊接设备对第二焊接组件进行焊接；所述无氧铜铂(3)的底部均匀设置有数个凸点，无氧铜铂(3)用于对芯片(1)上的焊盘进行加厚；S5.第二焊接组件上需要连接的无氧铜铂(3)之间采用第一铜线(4)进行连接；第二焊接组件上无氧铜铂(3)与DBC基板(6)之间采用第二铜线(5)进行连接；S6.随后在DBC基板(6)表面灌封绝缘材料，并使得绝缘材料覆盖第一焊接组件，绝缘材料固化后，完成封装。