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用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法
摘要文本
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法，包括在至少三个不同的反应温度条件下，依次向原子层沉积反应仓内循环脉冲通入铝源以及氧源，从而在半导体衬底的表面形成至少由三层晶界分布不同的钝化层依次堆叠得到的叠层钝化结构的步骤，还包括对制备得到的叠层钝化结构进行退火处理，从而使得钝化层之间发生程度不同的晶界重组的步骤，从而得到所述低反射率叠层钝化结构。本发明通过针对性的调节原子气相沉积过程中的沉积温度，从而获得了至少三层具有晶界分布不同的钝化层，然后在热退火的条件下使得所获得的叠层钝化结构具有更高的粗糙度以及更低的反射率，有利于晶硅电池的效率的进一步提升。
申请人信息
- 申请人:无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 发明人: 无锡松煜科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311726607.3 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410388B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 无锡松煜科技有限公司 |
| 发明人 | 陈庆敏; 李丙科; 陈加朋; 卓倩武 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房 |
专利主权项内容
1.用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(S.1)：提供一个半导体衬底，并将该半导体衬底置于原子层沉积反应仓内，随后对原子层沉积反应仓内部进行抽真空以及升温处理；步骤(S.2)：在至少三个不同的反应温度条件下，依次向原子层沉积反应仓内循环脉冲通入铝源以及氧源，并在铝源以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，从而在半导体衬底的表面形成至少由三层晶界分布不同的钝化层依次堆叠得到的叠层钝化结构；所述步骤(S.2)中用于形成钝化层的反应温度为150-300℃，且所述步骤(S.2)中用于形成相邻两层钝化层的反应温度差值为10-50℃；步骤(S.3)：对制备得到的叠层钝化结构进行退火处理，退火处理温度为350-400℃，退火时间为1-3h，从而使得钝化层之间发生程度不同的晶界重组，从而得到所述低反射率叠层钝化结构。