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薄膜沉积装置及沉积方法

申请号: CN202311488854.4
申请人: 江苏首芯半导体科技有限公司
申请日期: 2023/11/8

摘要文本

本发明公开了一种薄膜沉积装置及沉积方法。根据本发明实施例的薄膜沉积装置包括:反应腔,具有进气口和出气口;电极板,设置在反应腔内;以及基座,设置在反应腔内,具有用于承载晶圆的承载表面,承载表面与电极板相对设置;其中,电极板的第一端、基座的第一端与进气口相邻设置,电极板的第二端、基座的第二端与出气口相邻设置,以使气体由进气口经电极板与基座之间的气流通道流出至出气口;电极板的第一端与基座的第一端之间的距离为第一距离;电极板的第二端与基座的第二端之间的距离为第二距离,且第一距离小于第二距离。根据本发明实施例的薄膜沉积装置及沉积方法,能够沉积得到均匀性更好的薄膜。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 薄膜沉积装置及沉积方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311488854.4
申请日 2023/11/8
公告号 CN117467984A
公开日 2024/1/30
IPC主分类号 C23C16/52
权利人 江苏首芯半导体科技有限公司
发明人 朱顺利; 周纬; 李继刚; 张俊
地址 江苏省无锡市江阴市东盛路8号

专利主权项内容

1.一种薄膜沉积装置,包括:反应腔,具有进气口和出气口;电极板,设置在所述反应腔内;以及基座,设置在所述反应腔内,具有用于承载晶圆的承载表面,所述承载表面与所述电极板相对设置;其中,所述电极板的第一端、所述基座的第一端与所述进气口相邻设置,所述电极板的第二端、所述基座的第二端与所述出气口相邻设置,以使气体由所述进气口经所述电极板与所述基座之间的气流通道流出至所述出气口;所述电极板的第一端与所述基座的第一端之间的距离为第一距离;所述电极板的第二端与所述基座的第二端之间的距离为第二距离,且所述第一距离小于所述第二距离。 数据由马 克 团 队整理