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载入腔室、载入腔室控制方法及晶圆处理系统

申请号: CN202311478091.5
申请人: 江苏首芯半导体科技有限公司
申请日期: 2023/11/8

摘要文本

本申请公开了一种载入腔室、载入腔室控制方法及晶圆处理系统,该载入腔室包括腔体;基座,位于腔体内,基座用于承载晶圆;进气装置,与腔体相连,用于向腔体内通入气体;排气装置,与腔体相连,用于将腔体内的气体排出;其中,进气装置分别与第一气源、第二气源和第三气源相连,在保护层生成阶段内,第一气源提供的第一反应气体与第二气源提供第二反应气体进入未置入晶圆的腔体,并发生反应以至少在腔体的部分内表面上形成保护层;在清洗阶段内,第三气源提供的第三反应气体用于清洁腔体并去除保护层;通过保护层将污染物与晶圆隔离,并定期去除重新生成保护层,避免污染物的积累,可显著提升产品良率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 载入腔室、载入腔室控制方法及晶圆处理系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202311478091.5
申请日 2023/11/8
公告号 CN117524932A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 江苏首芯半导体科技有限公司
发明人 李继刚; 周纬; 朱顺利; 张俊
地址 江苏省无锡市江阴市东盛路8号

专利主权项内容

1.一种载入腔室,其特征在于,包括:腔体;基座,位于所述腔体内,所述基座用于承载晶圆;进气装置,与所述腔体相连,用于向所述腔体内通入气体;排气装置,与所述腔体相连,用于将所述腔体内的气体排出;其中,所述进气装置分别与第一气源、第二气源和第三气源相连,在保护层生成阶段内,所述第一气源提供的第一反应气体与所述第二气源提供第二反应气体进入未置入所述晶圆的所述腔体,并发生反应以至少在所述腔体的部分内表面上形成保护层;在清洗阶段内,所述第三气源提供的第三反应气体用于清洁所述腔体并去除所述保护层。