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薄膜沉积机台及半导体制程方法
摘要文本
本申请实施例涉及半导体领域，提供一种薄膜沉积机台及半导体制程方法，薄膜沉积机台包括：传输腔室、沉积模组和控制系统。传输机构用于传输至少两个晶圆，其中一晶圆为第一晶圆，另一晶圆为第二晶圆；沉积模组至少包括相互独立的第一腔室和第二腔室，第一腔室用于执行第一沉积工艺以形成第一膜层，第二腔室用于执行第二沉积工艺以形成第二膜层；控制系统用于执行第一取放步骤和第二取放步骤以及沉积步骤，以在第一晶圆和第二晶圆上均交替沉积第一膜层和第二膜层。
申请人信息
- 申请人:江苏首芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:214400 江苏省无锡市江阴市东盛路8号
- 发明人: 江苏首芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 薄膜沉积机台及半导体制程方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311398266.1 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117524922A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 江苏首芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 李继刚; 周纬; 朱顺利; 张俊 |
| 地址 | 江苏省无锡市江阴市东盛路8号 |
专利主权项内容
1.一种薄膜沉积机台，用于在晶圆表面交替沉积第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层彼此不同，其特征在于，包括：传输腔室，所述传输腔室内具有传输机构，所述传输机构用于传输至少两个晶圆，其中一所述晶圆为第一晶圆，另一所述晶圆为第二晶圆；沉积模组，所述沉积模组与所述传输腔室连通，所述沉积模组至少包括相互独立的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室用于执行第一沉积工艺以形成所述第一膜层，所述第二腔室用于执行第二沉积工艺以形成所述第二膜层；控制系统，所述控制系统用于，控制所述传输机构交替执行第一取放步骤和第二取放步骤，其中，所述第一取放步骤包括：获取到所述第一晶圆并将所述第一晶圆运送至所述第一腔室，获取到所述第二晶圆并将所述第二晶圆运送至所述第二腔室；所述第二取放步骤包括：自所述第一腔室内取出所述第一晶圆并运送至所述第二腔室，自所述第二腔室内取出所述第二晶圆并运送至所述第一腔室内；所述控制系统还用于执行沉积步骤，所述沉积步骤包括：在相应的所述晶圆进入所述第一腔室后控制执行所述第一沉积工艺，在相应的所述晶圆运送至所述第二腔室后控制执行所述第二沉积工艺，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆上均交替沉积所述第一膜层和所述第二膜层。。