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一种SiC器件欧姆接触的制备方法
摘要文本
本发明涉及一种SiC器件欧姆接触的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：提供N型SiC衬底；对N型SiC衬底上需要形成的欧姆接触区域进行轰击处理；对经过轰击处理的N型SiC衬底表面沉积一层NiSi合金薄膜作为过渡层；在NiSi合金薄膜上方沉积Ni金属层；对N型SiC衬底进行退火处理，使Ni金属层、NiSi合金薄膜以及N型SiC衬底融合在N型SiC衬底和Ni金属层之间形成欧姆接触。本申请提供的方法增加了N型SiC衬底表面的C空位及缺陷态，有利于退火后在N型SiC衬底表面形成更多的C空位，同时因为过渡层提供的富Si层减少C析出，避免在NiSi合金薄膜与N型SiC衬底直接的界面或Ni金属层形成C簇，避免降低后续加厚金属与Ni金属层的粘附力，而降低器件的可靠性。。数据由马 克 团 队整理
申请人信息
- 申请人:江苏昕感科技有限责任公司
- 申请人地址:214400 江苏省无锡市江阴市澄江东路99号
- 发明人: 江苏昕感科技有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC器件欧姆接触的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311731763.9 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117497404A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/28 |
| 权利人 | 江苏昕感科技有限责任公司 |
| 发明人 | 薄洪生; 单双; 王哲; 冯东明; 徐永斌 |
| 地址 | 江苏省无锡市江阴市澄江东路99号 |
专利主权项内容
1.一种SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供N型SiC衬底(1)；对N型SiC衬底(1)上需要形成的欧姆接触区域进行轰击处理；对经过轰击处理的N型SiC衬底(1)表面沉积一层NiSi合金薄膜(2)作为过渡层；在所述NiSi合金薄膜(2)上方沉积Ni金属层(3)；对所述N型SiC衬底(1)进行退火处理，使Ni金属层(3)、NiSi合金薄膜(2)以及N型SiC衬底(1)融合在N型SiC衬底(1)和Ni金属层(3)之间形成欧姆接触。