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双腔的基座匹配装置和基座匹配方法

申请号: CN202311465889.6
申请人: 研微(江苏)半导体科技有限公司
申请日期: 2023/11/6

摘要文本

本申请提供了一种双腔的基座匹配装置和基座匹配方法。该基座匹配装置包括状态检测装置和控制器,每个基座的升降杆设置有状态检测装置,状态检测装置在外力驱动下带动升降杆升降,并且在基座的上升过程中检测基座是否到达隔离位置,在隔离位置,基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离,每个基座的状态检测装置相互连接,以使每个基座同步升降;控制器被配置为:根据状态检测装置的检测结果判断每个基座是否到达其隔离位置;当每个基座均到达隔离位置后,根据状态检测装置的检测结果判断两个基座的高度是否匹配;其中,当两个基座的高度差达到预设范围内时,两个基座的高度匹配,从而提高半导体双腔处理室的工艺稳定性和产率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 双腔的基座匹配装置和基座匹配方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311465889.6
申请日 2023/11/6
公告号 CN117488287A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 C23C16/52
权利人 研微(江苏)半导体科技有限公司
发明人 董斌; 赵帆; 卞达开; 罗际蔚
地址 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01

专利主权项内容

1.一种双腔的基座匹配装置,所述双腔包括两个腔体,每个腔体中包括用于处理基片的上腔室、用于传输基片的下腔室、用于承载基片的基座,每个基座的底部设置有升降杆,所述基座由升降杆带动在所述上腔室和下腔室之间升降移动,其特征在于,包括状态检测装置和控制器,其中,每个基座的升降杆设置有所述状态检测装置,所述状态检测装置用于在外力驱动下带动所述升降杆升降,并且在所述基座的上升过程中检测所述基座是否到达隔离位置,在所述隔离位置,所述基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离,每个基座的状态检测装置相互连接,以使每个所述基座同步升降;所述控制器被配置为:根据状态检测装置的检测结果判断每个基座是否到达其隔离位置;当每个基座均到达隔离位置后,根据状态检测装置的检测结果判断两个基座的高度是否匹配;其中,当两个基座的高度差达到预设范围内时,两个基座的高度匹配。