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双腔的基座匹配装置和基座匹配方法
摘要文本
本申请提供了一种双腔的基座匹配装置和基座匹配方法。该基座匹配装置包括状态检测装置和控制器,每个基座的升降杆设置有状态检测装置,状态检测装置在外力驱动下带动升降杆升降,并且在基座的上升过程中检测基座是否到达隔离位置,在隔离位置,基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离,每个基座的状态检测装置相互连接,以使每个基座同步升降;控制器被配置为:根据状态检测装置的检测结果判断每个基座是否到达其隔离位置;当每个基座均到达隔离位置后,根据状态检测装置的检测结果判断两个基座的高度是否匹配;其中,当两个基座的高度差达到预设范围内时,两个基座的高度匹配,从而提高半导体双腔处理室的工艺稳定性和产率。
申请人信息
- 申请人:研微(江苏)半导体科技有限公司
- 申请人地址:214100 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01
- 发明人: 研微(江苏)半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 双腔的基座匹配装置和基座匹配方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311465889.6 |
| 申请日 | 2023/11/6 |
| 公告号 | CN117488287A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | C23C16/52 |
| 权利人 | 研微(江苏)半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 董斌; 赵帆; 卞达开; 罗际蔚 |
| 地址 | 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01 |
专利主权项内容
1.一种双腔的基座匹配装置,所述双腔包括两个腔体,每个腔体中包括用于处理基片的上腔室、用于传输基片的下腔室、用于承载基片的基座,每个基座的底部设置有升降杆,所述基座由升降杆带动在所述上腔室和下腔室之间升降移动,其特征在于,包括状态检测装置和控制器,其中,每个基座的升降杆设置有所述状态检测装置,所述状态检测装置用于在外力驱动下带动所述升降杆升降,并且在所述基座的上升过程中检测所述基座是否到达隔离位置,在所述隔离位置,所述基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离,每个基座的状态检测装置相互连接,以使每个所述基座同步升降;所述控制器被配置为:根据状态检测装置的检测结果判断每个基座是否到达其隔离位置;当每个基座均到达隔离位置后,根据状态检测装置的检测结果判断两个基座的高度是否匹配;其中,当两个基座的高度差达到预设范围内时,两个基座的高度匹配。