← 返回列表

一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器

申请号: CN202311653005.X
申请人: 江南大学
申请日期: 2023/12/5

摘要文本

本发明公开了一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器,属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括:衬底层、AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、Al0.4Ga0.6N有源层、Al0.55Ga0.45N势垒层和金属电极层。本发明通过仅在一侧的电极与Al0.4Ga0.6N有源层之间插入Al0.55Ga0.45N势垒层,构成不对称的MSM结构,利用不同的势垒高度诱导能带弯曲,形成不对称的能带,显著促进光生载流子的分离和输运,从而解决了对称MSM结构探测器高功耗的问题,实现了自驱动特性。形成的不对称的异质结构,增强了Al0.4Ga0.6N层的极化场,进而增加光电流的产生,大幅度提高了0V下的响应度。此外,本发明的制造的外延结构螺位错密度较低,从而器件获得超低的暗电流,提高了器件的灵敏度。 数据由马 克 团 队整理

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311653005.X
申请日 2023/12/5
公告号 CN117673188A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 H01L31/108
权利人 江南大学
发明人 杨国锋; 谷燕; 王博翔; 陈华志; 叶炳杰; 谢峰; 钱维莹; 张向阳; 张秀梅; 刘玉申; 陈国庆
地址 江苏省无锡市蠡湖大道1800号

专利主权项内容

1.一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器,其特征在于,所述自驱动日盲紫外探测器从下而上依次包括:衬底层、AlN缓冲层、异质结构层和金属电极层;其中,所述异质结构层包括三层高铝组分层:AlGaN缓冲层、AlGaN有源层和AlGaN势垒层;且所述自驱动日盲紫外探测器的一侧电极由三层高铝组分层中的AlGaN势垒层和金属电极层构成,另一侧电极仅由金属电极层构成。0.650.350.40.60.550.450.550.45