← 返回列表
具有过冲保护的FPGA存储单元电源电路
摘要文本
。本发明涉及一种具有过冲保护的FPGA存储单元电源电路，其包括：电源电路本体，用于提供存储单元工作所需的电源SRAMVS，其中，所述电源电路本体包括若干POWER MOS管；过冲保护电路，包括用于泄放流过POWER MOS管电流的泄放管以及用于配置泄放管泄放状态的有源负载电路，其中，所述泄放管与POWER MOS管对应且适配连接；过冲发生时，有源负载电路基于电源SRAMVS的电压配置泄放管进入泄放保护状态，利用处于泄放保护状态的泄放管将流经所适配连接POWER MOS管的电流快速泄放，以抑制电源SRAMVS的电压升高。本发明能有效实现过冲保护，提高存储单元电源电路供电的稳定性与可靠性。
申请人信息
- 申请人:无锡中微亿芯有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A6幢1-4层
- 发明人: 无锡中微亿芯有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有过冲保护的FPGA存储单元电源电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311429447.6 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117457050A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | G11C11/413 |
| 权利人 | 无锡中微亿芯有限公司 |
| 发明人 | 耿杨; 何小飞; 徐玉婷 |
| 地址 | 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A6幢1-4层 |
专利主权项内容
1.一种具有过冲保护的FPGA存储单元电源电路，其特征是，所述存储单元电源电路包括：电源电路本体，用于提供存储单元工作所需的电源SRAMVS，其中，所述电源电路本体包括若干POWER MOS管；过冲保护电路，包括用于泄放流过POWER MOS管电流的泄放管以及用于配置泄放管泄放状态的有源负载电路，其中，所述泄放管与POWER MOS管对应且适配连接；过冲发生时，有源负载电路基于电源SRAMVS的电压配置泄放管进入泄放保护状态，利用处于泄放保护状态的泄放管将流经所适配连接POWER MOS管的电流快速泄放，以抑制电源SRAMVS的电压升高。