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一种光纤接收电路的高传输速率的光电二极管及工艺方法

申请号: CN202311297583.4
申请人: 江苏致芯微电子技术有限公司
申请日期: 2023/10/9

摘要文本

本发明提供了一种光纤接收电路的高传输速率的光电二极管及工艺方法。一种光纤接收电路的高传输速率的光电二极管,包括:N型衬底;N+区,所述N型衬底上部的两侧分别注入形成所述N+区,在所述N+区开接触孔引出光电二极管的正极;P‑区,在所述N型衬底上注入形成所述P‑区,所述P‑区位于相邻所述N+区之间;P+区,在所述P‑区内注入形成所述P+区;在所述P+区开接触孔引出光电二极管的负极;多晶透光层,所述多晶透光层设置于所述P‑区的上方。本发明提高光电二极管的光电转换速率和转换效率,相同光敏电流下提升至原来的二倍,同时寄生电容降至原来的50%,保证收发端较远时不出现误码,满足各种高品质音响高速传输数据的要求。。详见官网:

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种光纤接收电路的高传输速率的光电二极管及工艺方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311297583.4
申请日 2023/10/9
公告号 CN117334775A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 H01L31/103
权利人 江苏致芯微电子技术有限公司
发明人 樊子宇; 陈秋齐
地址 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A1幢6层608室

专利主权项内容

1.一种光纤接收电路的高传输速率的光电二极管,其特征在于,包括:N型衬底;N+区,所述N型衬底上部的两侧分别注入形成所述N+区,在所述N+区开接触孔引出光电二极管的正极;P-区,在所述N型衬底上注入形成所述P-区,所述P-区位于相邻所述N+区之间,所述N型衬底和所述P-区之间形成PN结;P+区,在所述P-区内注入形成所述P+区,所述P+区与所述P-区之间形成欧姆接触;在所述P+区开接触孔引出光电二极管的负极;多晶透光层,所述多晶透光层设置于所述P-区的上方。