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一种电容可调的SGT IGBT结构及制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGT IGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGT IGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是，元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连，浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节，也实现沟道密度的调节。
申请人信息
- 申请人:江苏易矽科技有限公司; 江苏捷捷微电子股份有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A2栋14层(东侧)
- 发明人: 江苏易矽科技有限公司; 江苏捷捷微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种电容可调的SGT IGBT结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311772446.1 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117712156A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 江苏易矽科技有限公司; 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 郭亚楠; 陈宏; 黄健; 叶士杰; 刘洋; 刁绅; 皮彬彬 |
| 地址 | 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A2栋14层(东侧); 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号 |
专利主权项内容
1.一种电容可调的SGTIGBT结构，包括具有第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞；所述元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构；其特征在于，所述元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽，浅沟槽间呈依次并排布置，第一多晶硅填充区与深沟槽侧壁之间、第一多晶硅填充区和浅沟槽内多晶硅之间、浅沟槽内多晶硅与深沟槽侧壁之间、浅沟槽内多晶硅之间均有氧化物隔离；所述第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连；所述浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。。关注公众号马克数据网