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化学反应源供应系统及半导体加工装置
摘要文本
本发明提供一种化学反应源供应系统，包括：反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一控制阀、加热装置及冷却装置、反应源容器位于加热柜内，加热柜的内部处于大气压环境；第一控制阀的底部阀体设置在加热柜内部，工作温度为≥200℃，第一控制阀的执行器设置在加热柜外，执行器的工作温度为≤120℃；加热装置包括第一加热单元和第二加热单元；第一加热单元设置于加热柜内，用于对反应源容器进行加热，第二加热单元设置于加热柜外，用于对加热柜进行加热；冷却装置设置在加热柜外部。本发明经改善的结构设计，使得整个系统的结构极大简化，体积极大减小，使用和维护成本可以显著降低。使用本发明提供的半导体加工装置，有助于降低生产成本。 该数据由<专利查询网>整理
申请人信息
- 申请人:研微(江苏)半导体科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01
- 发明人: 研微(江苏)半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 化学反应源供应系统及半导体加工装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311419668.5 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117568782A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | C23C16/448 |
| 权利人 | 研微(江苏)半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 董斌; 苏扬杨; 卞达开; 罗际蔚 |
| 地址 | 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01 |
专利主权项内容
1.一种化学反应源供应系统，其特征在于，所述化学反应源供应系统包括：反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一控制阀、加热装置及冷却装置，其中，所述反应源容器设置在所述加热柜内，用于容置化学反应源，所述加热柜的内部处于大气压环境；所述第一控制阀设置在所述反应源容器的上方，并设置在与所述反应源容器连通的反应源供应管路上，用于控制所述反应源容器内的化学反应源的供应；所述第一控制阀的底部阀体设置在所述加热柜内部，所述底部阀体的工作温度为≥200℃，所述第一控制阀的执行器设置在所述加热柜外，所述执行器用于控制所述底部阀体的开合，所述执行器的工作温度为≤120℃；所述加热装置包括第一加热单元和第二加热单元；所述第一加热单元设置于所述加热柜内，用于对所述反应源容器进行加热；所述第二加热单元设置于所述加热柜外，用于对所述加热柜进行加热；所述冷却装置设置在加热柜外部。