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一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法
摘要文本
本发明提供了一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法，包括：S1，在P型衬底上设置P型外延片，在所述P型外延片上形成钝化层；S2，使用光刻胶在所述钝化层上制作刻蚀掩蔽层，并在所述掩蔽层上刻出接触孔；S3，在等离子体刻蚀设备中溅射AL膜，磁控溅射淀积形成金属层；S4，在接触孔顶端设置PAD，腐蚀除PAD外的金属层；S5，在所述掩蔽层上腐蚀形成深槽，形成硅应变电阻的电阻体；S6，在所述深槽反应离子刻蚀形成硅应变结构gauge的敏感薄膜；S7，对所述金属层退火处理形成欧姆接触；S8，对背面进行腐蚀处理，形成gauge应变片。本发明提供一个完整工艺方法，提高片内和片间的压敏电阻的一致性和均匀性，保证MEMS传感器输出的稳定性。
申请人信息
- 申请人:江苏致芯微电子技术有限公司
- 申请人地址:214100 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A1幢6层608室
- 发明人: 江苏致芯微电子技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311297530.2 |
| 申请日 | 2023/10/9 |
| 公告号 | CN117326520A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | B81C1/00 |
| 权利人 | 江苏致芯微电子技术有限公司 |
| 发明人 | 樊子宇; 陈秋齐 |
| 地址 | 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A1幢6层608室 |
专利主权项内容
1.一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法，其特征在于，包括：S1，在P型衬底上设置P型外延片，在所述P型外延片上形成钝化层；S2，使用光刻胶在所述钝化层上制作刻蚀掩蔽层，并在所述掩蔽层上刻出接触孔；S3，在等离子体刻蚀设备中溅射AL膜，磁控溅射淀积形成金属层；S4，在接触孔顶端设置PAD，腐蚀除PAD外的金属层；S5，在所述掩蔽层上腐蚀形成深槽，形成硅应变电阻的电阻体；S6，在所述深槽反应离子刻蚀形成硅应变结构gauge的敏感薄膜；S7，对所述金属层退火处理形成欧姆接触；S8，对背面进行腐蚀处理，形成gauge应变片。