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一种基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法

申请号: CN202311609286.9
申请人: 无锡惟万智能科技有限公司
申请日期: 2023/11/29

摘要文本

详见官网: 。本发明涉及变换器技术领域,且公开了一种基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法,该增益提升方法通过变压器原边电路和变压器副边电路实现,原边电路包括变压器第一绕组NP1及第一绕组漏感LK1,原边第二绕组NP2及第二绕组漏感LK2,功率管Q1及其内部二极管和寄生电容,功率管Q2及内部二极管和寄生电容,输入电容Cin和直流电压源Uin;副边电路包括变压器副边绕组Ns,谐振电容Cr。本发明基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法,该方法不仅可以解决在特定场合变换器无法满足增益需求的问题,而且可以实现软开关,保证高增益的同时也能实现高效率,与现有提升反向增益的方法相比,本方案控制简单,无需变频调节。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311609286.9
申请日 2023/11/29
公告号 CN117595676A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 H02M3/335
权利人 无锡惟万智能科技有限公司
发明人 吴伊楠; 伍群芳
地址 江苏省无锡市滨湖区十八湾11号B13

专利主权项内容

1.一种基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法,该增益提升方法通过变压器原边电路和变压器副边电路实现,原边电路包括变压器第一绕组N及第一绕组漏感L,原边第二绕组N及第二绕组漏感L,功率管Q及其内部二极管和寄生电容,功率管Q及内部二极管和寄生电容,输入电容C和直流电压源U;副边电路包括变压器副边绕组N,谐振电容C,谐振电感L,励磁电感L,及全桥电路(Q~Q),滤波电容C和负载R,其特征在于:该基于外移相的带中心抽头变压器LLC反向增益提升方法包括以下步骤:P1K1P2K212inin>>>>>>>o 步骤一、本发明的外移相控制信号,Q、Q、Q管共同导通T(1-d)/2时间后,Q管关断;>>>>步骤二、经过一个短暂的死区时间后开通Q管,Q管和Q管、Q管共同导通Td/2时间后关断Q管和Q管;>>>>>>步骤三、经过一个短暂的死区时间后,开通Q管和Q管,Q管和Q管、Q管共同导通T(1-d)/2时间后,Q管关断;>>>>>>步骤四、经过一个短暂的死区时间后,Q管开通,Q管和Q管、Q管共同导通Td时间后,Q管和Q管关断;>>>>>>步骤五、经过一个短暂的死区时间后,开通Q管和Q管,此时Q管、Q管和Q管导通,回到步骤一。>>>>> (来源 马克数据网)