全彩色Micro LED阵列结构及制备方法
摘要文本
本发明提供了全彩色Micro LED阵列结构及制备方法，涉及LED技术领域，包括基板，基板上表面设置若干组发光单元，单组发光单元呈4行4列阵列分布，发光单元从下往上依次包括衬底、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，P‑GaN层上设置P电极，P电极一端与第二引线一端连接，第二引线另一端与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。本发明中，通过在第二引线与P电极连接处设置扭结角度，增大第二引线与P电极连接处的扭结角度，使得第二引线的弯曲程度及长度增大，第二引线能够绕过阵列分布的发光单元，减少了对发光单元的遮挡，增强了发光效果。
申请人信息
- 申请人:迈铼德微电子科技(无锡)有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼520-26
- 发明人: 迈铼德微电子科技(无锡)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 全彩色Micro LED阵列结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311315135.2 |
| 申请日 | 2023/10/12 |
| 公告号 | CN117410307A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L27/15 |
| 权利人 | 迈铼德微电子科技(无锡)有限公司 |
| 发明人 | 黄龙; 刘宏宇 |
| 地址 | 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼520-26 |
专利主权项内容
1.全彩色Micro LED阵列结构，其特征在于，包括：基板(1)，基板(1)上表面设置若干组发光单元(2)，单组发光单元(2)呈4行4列阵列分布，发光单元(2)从下往上依次包括衬底(3)、N-GaN层(4)、量子阱层(5)和P-GaN层(6)，发光单元(2)通过刻蚀形成台面结构并露出N-GaN层(4)，P-GaN层(6)上设置透明导电层(7)，透明导电层(7)及位于台阶位置的N-GaN层(4)上均设置钝化层(8)，N-GaN层(4)上设置N电极(9)，发光单元(2)的N电极(9)一端延伸至钝化层(8)外部并通过第一引线(10)依次连接实现共阴极，P-GaN层(6)上设置P电极(11)，P电极(11)一端与P-GaN层(6)连接，P电极(11)另一端依次贯穿透明导电层(7)、钝化层(8)，并延伸至钝化层(8)外部与第二引线(12)一端连接，第二引线(12)另一端与基板(1)上的焊盘(13)连接，第二引线(12)与P电极(11)连接处、焊盘(13)连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线(12)长度的增加而增大。