一种单晶炉石墨坩埚提升装置
摘要文本
本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉石墨坩埚提升装置，包括提升结构，提升结构的外侧设有炉体，炉体的内部从下往上依次设有提升结构、坩埚、调节装置、入料结构和导流筒；入料结构包括：储料筒，储料筒设在炉体的侧壁，储料筒的内部用于放置多晶硅；输送管道，输送管道设在储料筒的下端，且输送管道与储料筒相连通，输送管道的另一端伸至储料筒的内部；提升结构包括：抬升轴。通过设置调节装置，可以使坩埚在抬升的过程中，将坩埚的降温与下一次使用的多晶硅原料进行预热处理同步进行，使得在进行下一次的硅单晶生产，需要将坩埚进行抬升时，不仅此时多晶硅原料已经预热完成，且坩埚也已经进行了降温处理。 来源：专利查询网
申请人信息
- 申请人:连城凯克斯科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市锡山区锡北泾虹路15号
- 发明人: 连城凯克斯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种单晶炉石墨坩埚提升装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311721793.1 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117702270A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | C30B29/06 |
| 权利人 | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 发明人 | 孔德东; 蒋林; 王晓辉; 陈立; 李军; 李方 |
| 地址 | 江苏省无锡市锡山区锡北泾虹路15号 |
专利主权项内容
1.一种单晶炉石墨坩埚提升装置，其特征在于：包括提升结构(2)，该石墨坩埚提升装置设在炉体(1)的内部，所述炉体(1)的内部从下往上依次设有提升结构(2)、坩埚(4)、调节装置(5)、入料结构(3)和导流筒(6)；所述入料结构(3)包括：储料筒(31)，所述储料筒(31)设在炉体(1)的侧壁，储料筒(31)的内部用于放置多晶硅；输送管道(32)，所述输送管道(32)设在储料筒(31)的下端，且输送管道(32)与储料筒(31)相连通，输送管道(32)的另一端伸至储料筒(31)的内部；所述提升结构(2)包括：抬升轴(21)，所述抬升轴(21)在炉体(1)的底部滑动；托盘(22)，所述托盘(22)固定连接在抬升轴(21)的上表面，且托盘(22)的上表面放置有坩埚(4)；所述调节装置(5)包括：放料框(504)，所述放料框(504)设在炉体(1)的内部靠近导流筒(6)的一端，且放料框(504)的底部为倾斜状，放料框(504)的内壁底部开设有一周槽口；料槽口(505)，所述放料框(504)的内部开设有料槽口(505)，料槽口(505)设在输送管道(32)的下方；阻挡环(511)，所述阻挡环(511)在放料框(504)的内壁滑动，且阻挡环(511)的初始位置位于放料框(504)内壁底部槽口的位置，且阻挡环(511)与槽口抵接。