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一种背接触电池及其制造方法、光伏组件
摘要文本
本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，用于使得隧穿钝化背接触式太阳能电池中，掺杂元素含有磷的N型掺杂多晶硅层具有良好的形貌和满足目标要求的形成范围，利于提升隧穿钝化背接触式太阳能电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底，以及沿半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在半导体基底的背光面的局部区域上的隧穿钝化层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底的向光面为绒面。N型掺杂多晶硅层内的掺杂元素包括磷，N型掺杂多晶硅层位于背光面的边缘区域上的部分与N型掺杂多晶硅层位于背光面的中心区域上的部分的厚度比大于等于1、且小于等于1.2。。来自专利查询网
申请人信息
- 申请人:泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
- 申请人地址:225314 江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号
- 发明人: 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202310702158.2 |
| 申请日 | 2023/6/13 |
| 公告号 | CN117558798A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L31/0747 |
| 权利人 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 发明人 | 王涛; 於龙; 童洪波; 李华 |
| 地址 | 江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号 |
专利主权项内容
1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底的向光面为绒面；以及沿所述半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在所述半导体基底的背光面的局部区域上的隧穿钝化层和N型掺杂多晶硅层；所述N型掺杂多晶硅层内的掺杂元素包括磷，所述N型掺杂多晶硅层位于所述背光面的边缘区域上的部分与所述N型掺杂多晶硅层位于所述背光面的中心区域上的部分的厚度比大于等于1、且小于等于1.2。