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光伏组件及其太阳能电池、太阳能电池的正面结构与制备
摘要文本
本发明公开了光伏组件及其太阳能电池、太阳能电池的正面结构与制备。所述光伏组件，其中心支撑结构以及支向支撑结构均通过万向旋转接头与所述太阳能电池板的框架连接，并且所述支向支撑结构环绕中心柱形成分散设置，能够实现稳定支撑以及对太阳能电池板的朝向、方位的灵活调整以提高太阳光辐射利用率。此外，本发明提供的正面接触结构的太阳能电池，能够与光伏组件支架的结构优化相协同，进一步提升所述太阳能电池的转换性能。
申请人信息
- 申请人:淮安捷泰新能源科技有限公司
- 申请人地址:223400 江苏省淮安市涟水县经济开发区迎宾大道8号
- 发明人: 淮安捷泰新能源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光伏组件及其太阳能电池、太阳能电池的正面结构与制备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311831004.X |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117525178B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0224 |
| 权利人 | 淮安捷泰新能源科技有限公司 |
| 发明人 | 张满良; 付少剑 |
| 地址 | 江苏省淮安市涟水县经济开发区迎宾大道8号 |
专利主权项内容
1.太阳能电池的正面接触结构，所述电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，所述太阳能电池可以应用于太阳能电池板，其特征在于，所述正面接触结构包括设置在基区硅片正面的第一扩散区、第一电极区以及第一电极；所述第一扩散区包括：设置在基区硅片正面的第一掺杂层；与所述第一掺杂层接触的第一介质层；与所述第一介质层接触的第一遂穿氧化层；与所述第一遂穿氧化层接触的第一多晶硅层；且，所述的第一多晶硅层具有5~20nm的厚度、1e20cm~5e20cm的掺杂浓度、以及与所述第一掺杂层相同的极性；-3-3所述第一电极区包括：与所述第一掺杂层接触的遂穿氧化层；与所述遂穿氧化层接触的多晶硅层；且，所述的多晶硅层具有5~20nm的厚度、1e20cm~5e20cm的掺杂浓度、以及与所述第一掺杂层相同的极性；-3-3所述第一电极设置于所述第一电极区，并且所述第一电极与所述多晶硅层接触。