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一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体领域，具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。本发明通过对氮化铝陶瓷进行碱处理，加速老化处理，使其表层氢氧化铝水解转化为均匀氧化铝薄膜层。再进行氮化烧结，在氮化铝陶瓷表面形成氮氧化铝层。再将处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中，经浇注烧结得到高可靠性氮化铝覆铝基板。该方法制备的高可靠性氮化铝覆铝基板具有可靠性强、热阻低、耐热性好、增强陶瓷强度、满足封装散热需求的优点。 来源：百度搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:江苏富乐华半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
- 发明人: 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311775182.5 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117756555A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | C04B41/89 |
| 权利人 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 蹇满; 欧阳鹏; 杨骆; 王斌; 张涛 |
| 地址 | 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号 |
专利主权项内容
1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：将氮化铝陶瓷(3)放置于氢氧化钠溶液中，超声清洗后取出后放置于98-100％湿度下、120-140℃老化96-120h，反应结束后经纯水水洗、烘干，得到预处理氮化铝陶瓷；步骤二：在氮气环境下，将预处理氮化铝陶瓷进行氮化烧结，烧结结束后随炉冷却，在表面形成氮氧化铝层(2)；步骤三：将步骤二处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中，在模具浇注口上端放置高纯铝块，装夹完成后660-950℃浇注烧结60-120min，烧结结束后随炉冷却，在表面形成金属铝层(1)，再经脱模、切割研磨、修板，制备得到高可靠性氮化铝覆铝基板。