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一种铝薄膜电路基板制备方法
摘要文本
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铝薄膜电路基板制备方法。本发明通过步骤S1：基材金属介质层制备，步骤S2：通孔填充铝‑金刚石导电浆料，步骤S3：基材表面印刷图形，步骤S4薄膜电路基板烧结成型，步骤S5：蚀刻裸露的钛、铜层，步骤S6：铝薄膜电路基板表面镀，完成铝薄膜电路基板的制备。本发明制备的铝薄膜电路基板具有良好的直接表面化学镀镍或者镍金的能力，不仅满足基板的封装要求，还满足电性连接且可靠性高，可控制丝网膜厚以满足载流量需求，制备过程简单，易于量产。
申请人信息
- 申请人:江苏富乐华半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号
- 发明人: 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种铝薄膜电路基板制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311804374.4 |
| 申请日 | 2023/12/26 |
| 公告号 | CN117769163A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H05K3/42 |
| 权利人 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 欧阳鹏; 高远; 王斌; 周鹏程 |
| 地址 | 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号 |
专利主权项内容
1.一种铝薄膜电路基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：基材金属介质层制备：根据制备铝薄膜电路的电路图设计基材上定位点、通孔位置，表面清洗后，在氮化铝基材通孔和表面沉积钛、铜层，作为介质层；步骤S2：通孔填充铝-金刚石导电浆料：配置铝-金刚石导电浆料；将步骤S1制得的氮化铝基材通孔内填充铝-金刚石导电浆料，烘干；步骤S3：基材表面印刷图形：配置高纯铝浆料；将步骤S2制得的氮化铝基材锚定定位点，图形化丝网印刷高纯铝浆料，烘干；步骤S4：薄膜电路基板烧结成型：将步骤S3制得的氮化铝基材，在真空条件下烧结成型，随炉冷却至室温，完成氮化铝陶瓷通孔浆料和表面铝薄膜图形烧结成型；步骤S5：蚀刻裸露的钛、铜层：将步骤S4制得的铝薄膜电路基板铺设感光膜，锚定定位点后曝光、显影、蚀刻裸露的钛、铜层，去除剩余的感光膜，清洗、烘干；步骤S6：铝薄膜电路基板表面镀：将步骤S5制得的铝薄膜电路依次进行表面研磨、清洗、表面化学镀镍金。