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一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法
摘要文本
本发明属于电子封装领域,公开了一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法。本发明涉及低孔隙率和高导热率焊接界面的制备,首先进行对焊片的溅射反应,使得到表面具有微纳结构的银焊片,将其连接覆铜陶瓷基板与芯片的中间产物,具有可靠性、贴合效果更好的特点,此外,本发明制备得到了纳米银浆,将其在因焊片表面进行涂覆,极大增强了焊接体系的可靠性,避免了传统焊膏焊接易脱落的问题产生,低温低压烧结的方式避免银粉颗粒聚合,提高了器件的稳定性和使用寿命。
申请人信息
- 申请人:江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
- 申请人地址:224200 江苏省盐城市东台高新区鸿达路88号
- 发明人: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311276313.5 |
| 申请日 | 2023/9/30 |
| 公告号 | CN117334655A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L23/373 |
| 权利人 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 |
| 发明人 | 朱凯; 王斌; 张鹏; 陈虎; 陈慧龙 |
| 地址 | 江苏省盐城市东台高新区鸿达路88号 |
专利主权项内容
1.一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构,其特征在于:所述低孔隙率界面结构包括芯片(103)、银焊片(102)和覆铜陶瓷基板(101),所述芯片(103)通过银焊片(102)焊接在覆铜陶瓷基板(101)上。