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一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法

申请号: CN202311276313.5
申请人: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日期: 2023/9/30

摘要文本

本发明属于电子封装领域,公开了一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法。本发明涉及低孔隙率和高导热率焊接界面的制备,首先进行对焊片的溅射反应,使得到表面具有微纳结构的银焊片,将其连接覆铜陶瓷基板与芯片的中间产物,具有可靠性、贴合效果更好的特点,此外,本发明制备得到了纳米银浆,将其在因焊片表面进行涂覆,极大增强了焊接体系的可靠性,避免了传统焊膏焊接易脱落的问题产生,低温低压烧结的方式避免银粉颗粒聚合,提高了器件的稳定性和使用寿命。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311276313.5
申请日 2023/9/30
公告号 CN117334655A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 H01L23/373
权利人 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
发明人 朱凯; 王斌; 张鹏; 陈虎; 陈慧龙
地址 江苏省盐城市东台高新区鸿达路88号

专利主权项内容

1.一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构,其特征在于:所述低孔隙率界面结构包括芯片(103)、银焊片(102)和覆铜陶瓷基板(101),所述芯片(103)通过银焊片(102)焊接在覆铜陶瓷基板(101)上。