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一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备
摘要文本
本申请提供一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备，涉及芯片领域。静电释放防护结构包括保护电路；所述保护电路在被防护电路正常工作状态下处于截止状态；所述保护电路在所述被防护电路发生静电释放的状态下处于导通状态，以泄放所述被防护电路静电释放的电荷；其中，所述保护电路具有放大特性，所述放大特性为对静电释放电荷形成的电流进行放大的特性。由于保护电路具有放大特性，可以将静电释放结构电路对电荷/电流的泄放能力进行放大，由此，放大特性可以提高相同尺寸面积下保护电路对电荷/电流的泄放能力，从而提高静电释放防护结构对静电释放的防护能力，通过该静电释放防护结构，可以将电荷/电流快速泄放，保证芯片的应用安全。
申请人信息
- 申请人:海光信息技术(苏州)有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路183号10幢2-073室
- 发明人: 海光信息技术(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311510008.8 |
| 申请日 | 2023/11/13 |
| 公告号 | CN117497533A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 海光信息技术(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 刘勇江; 金军贵; 张阳 |
| 地址 | 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路183号10幢2-073室 |
专利主权项内容
1.一种静电释放防护结构，其特征在于，包括：保护电路，与被防护电路的电荷释放端连接；所述保护电路在被防护电路正常工作状态下处于截止状态；所述保护电路在所述被防护电路发生静电释放的状态下处于导通状态，以泄放所述被防护电路静电释放的电荷；其中，所述保护电路具有放大特性，所述放大特性为对静电释放电荷形成的电流进行放大的特性。