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外延生长控制方法
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种外延生长控制方法，包括：选取外延片上的若干测量点；获取前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，n为大于2的整数；根据前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，确定各所述测量点对应的各浓度贡献系数，所述浓度贡献系数为与测量点的气体掺杂浓度相关的因素对测量点的气体掺杂浓度的影响系数；根据各所述测量点对应的各浓度贡献系数，确定外延生长过程中所需的掺杂气体量。通过对在前几次外延生长过程中的数据进行分析，及时调整最新外延生长过程中的掺杂气体量，以提高外延片的浓度均一性，提高良率。
申请人信息
- 申请人:希科半导体科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215122 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房
- 发明人: 希科半导体科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 外延生长控制方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311764524.3 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117438348A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 希科半导体科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 吕立平 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房 |
专利主权项内容
1.一种外延生长控制方法，其特征在于，包括：选取外延片上的若干测量点；获取前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，n为大于2的整数；根据前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，确定各所述测量点对应的各浓度贡献系数，所述浓度贡献系数为与测量点的气体掺杂浓度相关的因素对测量点的气体掺杂浓度的影响系数；根据各所述测量点对应的各浓度贡献系数，确定外延生长过程中所需的掺杂气体量。