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一种含钽化合物涂层的制备方法
摘要文本
本申请涉及一种含钽化合物涂层的制备方法,包括:S1:将氧化钽颗粒放于高熔点材料制备的坩埚,并将坩埚放入加热炉;S2:将加热炉抽取真空,并充入保护性气氛;S3:加热将氧化钽熔化得到氧化钽熔体;S4:将石墨基材浸入氧化钽熔体中浸泡;S5:将石墨基材从氧化钽熔体中移出,并进行保温处理使得氧化钽与石墨基材反应,得到具有含钽化合物涂层的石墨基材;S6:更换石墨基材样件,并向坩埚补充氧化钽颗粒,重复进行S1‑S5,进行石墨基材样件的批量化生产,在石墨基材上制备得到碳化钽涂层,形成的碳化钽渗入石墨基材内并与石墨基材紧密结合,碳化钽涂层不易脱落,该工艺操作简单,时间短,成本低且环保。
申请人信息
- 申请人:苏州清研半导体科技有限公司
- 申请人地址:215127 江苏省苏州市吴中区甪直镇东方大道268号中科半导体产业社区A幢802-803室、B幢1-2层
- 发明人: 苏州清研半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种含钽化合物涂层的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311600775.8 |
| 申请日 | 2023/11/28 |
| 公告号 | CN117534507A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C04B41/87 |
| 权利人 | 苏州清研半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 石林; 杨倩倩; 罗胜益 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴中区甪直镇东方大道268号中科半导体产业社区A幢802-803室、B幢1-2层 |
专利主权项内容
1.一种含钽化合物涂层的制备方法,其特征在于,包括:S1:将氧化钽颗粒放于高熔点材料制备的坩埚,并将所述坩埚放入加热炉;S2:将加热炉抽取真空,并充入保护性气氛;S3:加热将所述氧化钽熔化得到氧化钽熔体;S4:将石墨基材浸入所述氧化钽熔体中浸泡;S5:将石墨基材从所述氧化钽熔体中移出,并进行保温处理使得氧化钽与石墨基材反应,得到具有含钽化合物涂层的石墨基材;S6:更换石墨基材样件,并向所述坩埚补充氧化钽颗粒,重复进行S1-S5,进行石墨基材样件的批量化生产。 马-克-数据