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一种含钽化合物涂层的制备方法

申请号: CN202311600775.8
申请人: 苏州清研半导体科技有限公司
申请日期: 2023/11/28

摘要文本

本申请涉及一种含钽化合物涂层的制备方法,包括:S1:将氧化钽颗粒放于高熔点材料制备的坩埚,并将坩埚放入加热炉;S2:将加热炉抽取真空,并充入保护性气氛;S3:加热将氧化钽熔化得到氧化钽熔体;S4:将石墨基材浸入氧化钽熔体中浸泡;S5:将石墨基材从氧化钽熔体中移出,并进行保温处理使得氧化钽与石墨基材反应,得到具有含钽化合物涂层的石墨基材;S6:更换石墨基材样件,并向坩埚补充氧化钽颗粒,重复进行S1‑S5,进行石墨基材样件的批量化生产,在石墨基材上制备得到碳化钽涂层,形成的碳化钽渗入石墨基材内并与石墨基材紧密结合,碳化钽涂层不易脱落,该工艺操作简单,时间短,成本低且环保。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种含钽化合物涂层的制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311600775.8
申请日 2023/11/28
公告号 CN117534507A
公开日 2024/2/9
IPC主分类号 C04B41/87
权利人 苏州清研半导体科技有限公司
发明人 石林; 杨倩倩; 罗胜益
地址 江苏省苏州市吴中区甪直镇东方大道268号中科半导体产业社区A幢802-803室、B幢1-2层

专利主权项内容

1.一种含钽化合物涂层的制备方法,其特征在于,包括:S1:将氧化钽颗粒放于高熔点材料制备的坩埚,并将所述坩埚放入加热炉;S2:将加热炉抽取真空,并充入保护性气氛;S3:加热将所述氧化钽熔化得到氧化钽熔体;S4:将石墨基材浸入所述氧化钽熔体中浸泡;S5:将石墨基材从所述氧化钽熔体中移出,并进行保温处理使得氧化钽与石墨基材反应,得到具有含钽化合物涂层的石墨基材;S6:更换石墨基材样件,并向所述坩埚补充氧化钽颗粒,重复进行S1-S5,进行石墨基材样件的批量化生产。 马-克-数据